反向传输电容(Crss):11.6pF,导通电阻(RDS(on)):60mΩ,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):128nC,漏源电压(Vdss):1200V,类型:1个N沟道,耗散功率(Pd):312W,输入电容(Ciss):2900pF,输出电容(Coss):118pF,连续漏极电流(Id):60A,阈值电压(Vgs(th)):4V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 11.6pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 128nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 1200V | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 312W | |
| 输入电容(Ciss) | 2900pF | |
| 输出电容(Coss) | 118pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥25.47/个 |
| 10+ | ¥21.86/个 |
| 30+ | ¥19.14/个 |
| 90+ | ¥16.97/个 |
| 510+ | ¥15.97/个 |
| 1020+ | ¥15.52/个 |
整盘
单价
整盘单价¥17.6088
30 PCS/盘
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