反向传输电容(Crss):550pF,导通电阻(RDS(on)):3.6mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,栅极电荷量(Qg):135nC,漏源电压(Vdss):30V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):260W,输入电容(Ciss):7600pF,输出电容(Coss):980pF,连续漏极电流(Id):120A,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 550pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.6mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 135nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 260W | |
| 输入电容(Ciss) | 7600pF | |
| 输出电容(Coss) | 980pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥3.08/个 |
| 10+ | ¥2.42/个 |
| 50+ | ¥2.14/个 |
| 100+ | ¥1.78/个 |
| 500+ | ¥1.63/个 |
| 1000+ | ¥1.53/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.9688
50 PCS/盘
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