导通电阻(RDS(on)):20mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+175℃,数量:-,漏源电压(Vdss):45V,耗散功率(Pd):65W,连续漏极电流(Id):60A,阈值电压(Vgs(th)):2.2V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@4.5V | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
数量 | - | |
漏源电压(Vdss) | 45V | |
耗散功率(Pd) | 65W | |
连续漏极电流(Id) | 60A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA |