反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):0.6Ω@10V,2.4A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):12nC@10V,漏源电压(Vdss):600V,类型:-,耗散功率(Pd):63W,输入电容(Ciss):557pF,输出电容(Coss):28pF,连续漏极电流(Id):7.3A,阈值电压(Vgs(th)):4.5V@0.2mA
属性 | 参数值 | 其他 |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | - | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.6Ω@10V,2.4A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 600V | |
类型 | - | |
耗散功率(Pd) | 63W | |
输入电容(Ciss) | 557pF | |
输出电容(Coss) | 28pF | |
连续漏极电流(Id) | 7.3A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@0.2mA |