反向传输电容(Crss):4.7pF,导通电阻(RDS(on)):39.6mΩ,工作温度:-,栅极电荷量(Qg):39nC,栅极电荷量(Qg):39nC,漏源电压(Vdss):1200V,耗散功率(Pd):250W,输入电容(Ciss):1310pF,输出电容(Coss):55pF,连续漏极电流(Id):52A,阈值电压(Vgs(th)):4.2V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 4.7pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 39.6mΩ | |
工作温度 | - | |
栅极电荷量(Qg) | 39nC | |
栅极电荷量(Qg) | 39nC | |
漏源电压(Vdss) | 1200V | |
耗散功率(Pd) | 250W | |
输入电容(Ciss) | 1310pF | |
输出电容(Coss) | 55pF | |
连续漏极电流(Id) | 52A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4.2V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥73.2/个 |
10+ | ¥69.61/个 |
30+ | ¥63.4/个 |
100+ | ¥57.99/个 |
102+ | ¥57.99/个 |
104+ | ¥57.99/个 |
整盘
单价
整盘单价¥55.874
1000 PCS/盘
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