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IMBG65R033M2H
扩展库- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 厂家型号
- IMBG65R033M2H
- 商品编号
- C42670690
- 商品封装
- TO-263-7
- 商品毛重
- 0.00226千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):7pF,导通电阻(RDS(on)):41mΩ,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):34nC,栅极电荷量(Qg):34nC,漏源电压(Vdss):650V,耗散功率(Pd):227W,输入电容(Ciss):1214pF,输出电容(Coss):117pF,连续漏极电流(Id):58A,阈值电压(Vgs(th)):5.6V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 41mΩ | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC | |
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 耗散功率(Pd) | 227W | |
| 输入电容(Ciss) | 1214pF | |
| 输出电容(Coss) | 117pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 58A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.6V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥50.85/个 |
| 10+ | ¥49.55/个 |
| 30+ | ¥48.68/个 |
| 100+ | ¥47.82/个 |
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| 104+ | ¥47.82/个 |
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