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IMBG65R020M2HXTMA1
扩展库- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 厂家型号
- IMBG65R020M2HXTMA1
- 商品编号
- C22418014
- 商品封装
- TO-263-7
- 商品毛重
- 0.00242千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):11.5pF,导通电阻(RDS(on)):24mΩ,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):57nC,漏源电压(Vdss):650V,耗散功率(Pd):326W,输入电容(Ciss):2038pF,输出电容(Coss):197pF,连续漏极电流(Id):91A,阈值电压(Vgs(th)):5.6V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 11.5pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 57nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 耗散功率(Pd) | 326W | |
| 输入电容(Ciss) | 2038pF | |
| 输出电容(Coss) | 197pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 91A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.6V |
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