射基极击穿电压(Vebo):6V,工作温度:-55℃~+150℃,晶体管类型:PNP,特征频率(fT):80MHz,直流电流增益(hFE):60@1A,2V,耗散功率(Pd):1.25W,集射极击穿电压(Vceo):30V,集射极饱和电压(VCE(sat)):0.6V@2A,0.2A,集电极截止电流(Icbo):1uA,集电极电流(Ic):3A
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 三极管(BJT) | |
射基极击穿电压(Vebo) | 6V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
晶体管类型 | PNP | |
特征频率(fT) | 80MHz | |
直流电流增益(hFE) | 60@1A,2V | |
耗散功率(Pd) | 1.25W | |
集射极击穿电压(Vceo) | 30V | |
集射极饱和电压(VCE(sat)) | 0.6V@2A,0.2A | |
集电极截止电流(Icbo) | 1uA | |
集电极电流(Ic) | 3A |