IMBG120R181M2HXTMA1实物图
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IMBG120R181M2HXTMA1

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品牌名称
Infineon(英飞凌)
厂家型号
IMBG120R181M2HXTMA1
商品编号
C23040258
商品封装
TO-263-7
商品毛重
0.001765千克(kg)
包装方式
编带
ECCN
EAR99

商品参数

反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):181.4mΩ,工作温度:-,栅极电荷量(Qg):9.7nC,栅极电荷量(Qg):9.7nC,漏源电压(Vdss):1200V,耗散功率(Pd):94W,输入电容(Ciss):350pF,输出电容(Coss):12pF,连续漏极电流(Id):14.9A,阈值电压(Vgs(th)):4.2V

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属性参数值其他
商品目录碳化硅场效应管(MOSFET)
反向传输电容(Crss)-
导通电阻(RDS(on))181.4mΩ
工作温度-
栅极电荷量(Qg)9.7nC
栅极电荷量(Qg)9.7nC
漏源电压(Vdss)1200V
耗散功率(Pd)94W
输入电容(Ciss)350pF
输出电容(Coss)12pF
连续漏极电流(Id)14.9A
阈值电压(Vgs(th))4.2V

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阶梯价格(含税价)

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10+¥27.61/个
30+¥24.73/个
100+¥21.82/个
500+¥20.48/个
1000+¥19.88/个

嘉立创SMT补贴

整盘

单价

整盘单价¥19.148

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换料费券¥300

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