温馨提示：图片仅供参考，商品以实物为准
FQB34P10TM
扩展库- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 厂家型号
- FQB34P10TM
- 商品编号
- C23380866
- 商品封装
- TO-263
- 商品毛重
- 0.002058千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):20pF,导通电阻(RDS(on)):70mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,栅极电荷量(Qg):41nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):79W,输入电容(Ciss):1900pF@50V,输出电容(Coss):151pF,连续漏极电流(Id):30A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
找到类似商品：0 种查看类似商品
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 41nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 79W | |
| 输入电容(Ciss) | 1900pF@50V | |
| 输出电容(Coss) | 151pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
数据手册PDF
放大查看预订参考价
5.5 / PCS库存总量
0 PCS电话
顶部
元器件购物车