反向传输电容(Crss):150pF,导通电阻(RDS(on)):26mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道+1个P沟道,栅极电荷量(Qg):14nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,类型:N沟道+P沟道,耗散功率(Pd):2W,输入电容(Ciss):540pF@15V,输出电容(Coss):155pF,连续漏极电流(Id):6.4A,连续漏极电流(Id):4.5A,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 输入电容(Ciss) | 540pF@15V | |
| 输出电容(Coss) | 155pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.4A | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |