反向传输电容(Crss):2.4pF,导通电阻(RDS(on)):2.8Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):15.8nC@10V,漏源电压(Vdss):650V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):30W,输入电容(Ciss):564pF,输出电容(Coss):41pF,连续漏极电流(Id):4A,阈值电压(Vgs(th)):4V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.4pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.8Ω@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15.8nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 输入电容(Ciss) | 564pF | |
| 输出电容(Coss) | 41pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.728/个 |
| 50+ | ¥1.306/个 |
| 150+ | ¥1.154/个 |
| 500+ | ¥0.966/个 |
| 2000+ | ¥0.882/个 |
| 5000+ | ¥0.831/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.20152
50 PCS/盘
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