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HYG050N08NS1B
扩展库- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 厂家型号
- HYG050N08NS1B
- 商品编号
- C2763407
- 商品封装
- TO-263-2
- 商品毛重
- 0.00166千克(kg)
- 包装方式
- 编带
商品参数
反向传输电容(Crss):25pF@25V,导通电阻(RDS(on)):5mΩ@10V,工作温度:-55℃~+175℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):68nC@10V,漏源电压(Vdss):80V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):187.5W,输入电容(Ciss):4.28nF@25V,连续漏极电流(Id):130A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF@25V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 68nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 187.5W | |
| 输入电容(Ciss) | 4.28nF@25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 130A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
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