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HYG025P03LQ1B
扩展库- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 厂家型号
- HYG025P03LQ1B
- 商品编号
- C2763415
- 商品封装
- TO-263-2
- 商品毛重
- 0.00166千克(kg)
- 包装方式
- 编带
商品参数
反向传输电容(Crss):1314pF@25V,导通电阻(RDS(on)):4.2mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+175℃,数量:-,栅极电荷量(Qg):280nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):200W,输入电容(Ciss):14220pF,输出电容(Coss):1254pF,连续漏极电流(Id):190A,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 1314pF@25V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.2mΩ@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 280nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 200W | |
| 输入电容(Ciss) | 14220pF | |
| 输出电容(Coss) | 1254pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 190A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
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