反向传输电容(Crss):418pF,导通电阻(RDS(on)):2.6mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:-,栅极电荷量(Qg):86nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):56W,输入电容(Ciss):5406pF,输出电容(Coss):487pF,连续漏极电流(Id):110A,阈值电压(Vgs(th)):2.2V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 418pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.6mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 86nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 56W | |
| 输入电容(Ciss) | 5406pF | |
| 输出电容(Coss) | 487pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 110A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA |