导通电阻(RDS(on)):6mΩ@10V,20A,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):63nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,耗散功率(Pd):156W,耗散功率(Pd):7.3W,输入电容(Ciss):3830pF@50V,连续漏极电流(Id):85A,连续漏极电流(Id):24A,阈值电压(Vgs(th)):3.4V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V,20A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 63nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 耗散功率(Pd) | 156W | |
| 耗散功率(Pd) | 7.3W | |
| 输入电容(Ciss) | 3830pF@50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 85A | |
| 连续漏极电流(Id) | 24A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.4V |