导通电阻(RDS(on)):2mΩ@10V,20A,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):49nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):6.2W,耗散功率(Pd):48W,输入电容(Ciss):3110pF@15V,连续漏极电流(Id):85A,连续漏极电流(Id):44A,阈值电压(Vgs(th)):1.9V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2mΩ@10V,20A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 49nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 6.2W | |
| 耗散功率(Pd) | 48W | |
| 输入电容(Ciss) | 3110pF@15V | |
| 连续漏极电流(Id) | 85A | |
| 连续漏极电流(Id) | 44A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V |