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HSBA4909

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品牌名称
HUASHUO(华朔)
厂家型号
HSBA4909
商品编号
C2903570
商品封装
PRPAK5x6-8L
商品毛重
0.00013千克(kg)
包装方式
编带

商品参数

反向传输电容(Crss):222pF,反向传输电容(Crss):222pF@15V,导通电阻(RDS(on)):13mΩ@10V,导通电阻(RDS(on)):13mΩ@10V,8A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道+1个P沟道,栅极电荷量(Qg):29nC@4.5V,栅极电荷量(Qg):29nC@4.5V,漏源电压(Vdss):40V,类型:N沟道+P沟道,耗散功率(Pd):36W,输入电容(Ciss):3500pF,输入电容(Ciss):3.5nF@15V,输出电容(Coss):323pF,连续漏极电流(Id):15A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V

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属性参数值其他
商品目录场效应管(MOSFET)
反向传输电容(Crss)222pF
反向传输电容(Crss)222pF@15V
导通电阻(RDS(on))13mΩ@10V
导通电阻(RDS(on))13mΩ@10V,8A
工作温度-55℃~+150℃
数量1个N沟道+1个P沟道
栅极电荷量(Qg)29nC@4.5V
栅极电荷量(Qg)29nC@4.5V
漏源电压(Vdss)40V
类型N沟道+P沟道
耗散功率(Pd)36W
输入电容(Ciss)3500pF
输入电容(Ciss)3.5nF@15V
输出电容(Coss)323pF
连续漏极电流(Id)15A
阈值电压(Vgs(th))2.5V

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10+¥1.49/个
30+¥1.47/个
100+¥1.45/个
102+¥1.45/个
104+¥1.45/个

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