反向传输电容(Crss):222pF,反向传输电容(Crss):222pF@15V,导通电阻(RDS(on)):13mΩ@10V,导通电阻(RDS(on)):13mΩ@10V,8A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道+1个P沟道,栅极电荷量(Qg):29nC@4.5V,栅极电荷量(Qg):29nC@4.5V,漏源电压(Vdss):40V,类型:N沟道+P沟道,耗散功率(Pd):36W,输入电容(Ciss):3500pF,输入电容(Ciss):3.5nF@15V,输出电容(Coss):323pF,连续漏极电流(Id):15A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 222pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 222pF@15V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@10V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@10V,8A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC@4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 36W | |
| 输入电容(Ciss) | 3500pF | |
| 输入电容(Ciss) | 3.5nF@15V | |
| 输出电容(Coss) | 323pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.52/个 |
| 10+ | ¥1.49/个 |
| 30+ | ¥1.47/个 |
| 100+ | ¥1.45/个 |
| 102+ | ¥1.45/个 |
| 104+ | ¥1.45/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.334
3000 PCS/盘
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