反向传输电容(Crss):7.8pF,导通电阻(RDS(on)):28mΩ,导通电阻(RDS(on)):42mΩ@18V,40A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:-,栅极电荷量(Qg):133nC,栅极电荷量(Qg):133nC,漏源电压(Vdss):1200V,类型:1个N沟道,耗散功率(Pd):500W,输入电容(Ciss):3290pF,输出电容(Coss):124pF,连续漏极电流(Id):88A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):3V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 7.8pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 42mΩ@18V,40A | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 133nC | |
| 栅极电荷量(Qg) | 133nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 1200V | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 500W | |
| 输入电容(Ciss) | 3290pF | |
| 输出电容(Coss) | 124pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 88A | |
| 配置 | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥80.81/个 |
| 10+ | ¥66.57/个 |
| 30+ | ¥59.68/个 |
| 90+ | ¥53.9/个 |
| 92+ | ¥53.9/个 |
| 94+ | ¥53.9/个 |
整盘
单价
整盘单价¥54.9056
30 PCS/盘
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