反向传输电容(Crss):200pF,导通电阻(RDS(on)):39mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):18nC@4.5V,漏源电压(Vdss):12V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):0.8W,输入电容(Ciss):1860pF,输出电容(Coss):210pF,连续漏极电流(Id):3A,阈值电压(Vgs(th)):1V@1mA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 39mΩ@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 0.8W | |
| 输入电容(Ciss) | 1860pF | |
| 输出电容(Coss) | 210pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@1mA |