反向传输电容(Crss):15pF@16V,导通电阻(RDS(on)):800mΩ@1.8V,工作温度:-55℃~+150℃,漏源电压(Vdss):20V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):200mW,输入电容(Ciss):120pF,连续漏极电流(Id):0.75A,阈值电压(Vgs(th)):1.1V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF@16V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 800mΩ@1.8V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 输入电容(Ciss) | 120pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 0.75A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V@250uA |