反向传输电容(Crss):4pF,导通电阻(RDS(on)):3Ω@4V,工作温度:-55℃~+150℃,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):0.2W,输入电容(Ciss):13pF,输出电容(Coss):9pF,连续漏极电流(Id):100mA,阈值电压(Vgs(th)):1.5V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@4V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 0.2W | |
| 输入电容(Ciss) | 13pF | |
| 输出电容(Coss) | 9pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 100mA | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |