反向传输电容(Crss):115pF@30V,导通电阻(RDS(on)):18mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):68nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):-,耗散功率(Pd):60W,输入电容(Ciss):1920pF,输出电容(Coss):155pF,连续漏极电流(Id):40A,连续漏极电流(Id):40A,阈值电压(Vgs(th)):2.7V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 115pF@30V | |
导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 68nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
耗散功率(Pd) | - | |
耗散功率(Pd) | 60W | |
输入电容(Ciss) | 1920pF | |
输出电容(Coss) | 155pF | |
连续漏极电流(Id) | 40A | |
连续漏极电流(Id) | 40A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V@250uA |
梯度 | 售价 |
---|---|
1+ | ¥3.677/个 |
10+ | ¥3.38/个 |
30+ | ¥3.218/个 |
100+ | ¥3.033/个 |
500+ | ¥2.952/个 |
1000+ | ¥2.912/个 |
2500+ | ¥2.885/个 |
5000+ | ¥2.867/个 |
整盘
单价
整盘单价¥2.885
2500 PCS/盘