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SVD5867NLT4G
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- SVD5867NLT4G
- 商品编号
- C889916
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 商品毛重
- 0.000461千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):47pF@25V,导通电阻(RDS(on)):39mΩ@10V,22A,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):15nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):43W,输入电容(Ciss):675pF,连续漏极电流(Id):22A,阈值电压(Vgs(th)):1.5V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 47pF@25V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 39mΩ@10V,22A | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 耗散功率(Pd) | 43W | |
| 输入电容(Ciss) | 675pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 22A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
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