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RM15N650TI
扩展库- 品牌名称
- RECTRON(丽正)
- 厂家型号
- RM15N650TI
- 商品编号
- C3280824
- 商品封装
- TO-220F
- 商品毛重
- 0.002612千克(kg)
- 包装方式
- 管装
商品参数
反向传输电容(Crss):4.8pF,导通电阻(RDS(on)):260mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):45nC@10V,漏源电压(Vdss):650V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):33.5W,输入电容(Ciss):1360pF,输出电容(Coss):115pF,连续漏极电流(Id):15A,阈值电压(Vgs(th)):3.5V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.8pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 260mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 33.5W | |
| 输入电容(Ciss) | 1360pF | |
| 输出电容(Coss) | 115pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
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