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RM50N60TI
扩展库- 品牌名称
- RECTRON(丽正)
- 厂家型号
- RM50N60TI
- 商品编号
- C3280834
- 商品封装
- TO-220F
- 商品毛重
- 0.002612千克(kg)
- 包装方式
- 管装
商品参数
反向传输电容(Crss):120pF,导通电阻(RDS(on)):20mΩ@10V,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):50nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):85W,输入电容(Ciss):2050pF@30V,连续漏极电流(Id):50A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 85W | |
| 输入电容(Ciss) | 2050pF@30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
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