反向传输电容(Crss):0.68pF,导通电阻(RDS(on)):190mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):78nC@10V,漏源电压(Vdss):650V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):50W,输入电容(Ciss):3055pF,输出电容(Coss):3055pF,连续漏极电流(Id):20.6A,阈值电压(Vgs(th)):3V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.68pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 190mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 78nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 输入电容(Ciss) | 3055pF | |
| 输出电容(Coss) | 3055pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 20.6A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥38.93/个 |
| 10+ | ¥37.94/个 |
| 30+ | ¥37.27/个 |
| 100+ | ¥36.61/个 |
| 102+ | ¥36.61/个 |
| 104+ | ¥36.61/个 |
整盘
单价
整盘单价¥36.605
1000 PCS/盘
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