反向传输电容(Crss):110pF,导通电阻(RDS(on)):38mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):22nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):2.8W,输入电容(Ciss):1241pF,输出电容(Coss):147pF,连续漏极电流(Id):27A,阈值电压(Vgs(th)):2.4V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 110pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ@4.5V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
耗散功率(Pd) | 2.8W | |
输入电容(Ciss) | 1241pF | |
输出电容(Coss) | 147pF | |
连续漏极电流(Id) | 27A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V@250uA |