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2N7000
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- 2N7000
- 商品编号
- C3281857
- 商品封装
- TO-92-3
- 商品毛重
- 0.001千克(kg)
- 包装方式
- 袋装
- ECCN
- EAR99
商品参数
导通电阻(RDS(on)):5Ω@500mA,10V,工作温度:-,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):2nC@5V,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):400mW,输入电容(Ciss):50pF@25V,连续漏极电流(Id):350mA,阈值电压(Vgs(th)):3V@1mA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5Ω@500mA,10V | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2nC@5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 耗散功率(Pd) | 400mW | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF@25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 350mA | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@1mA |
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