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RM21N650TI
扩展库- 品牌名称
- RECTRON(丽正)
- 厂家型号
- RM21N650TI
- 商品编号
- C3290517
- 商品封装
- TO-220F
- 商品毛重
- 0.002612千克(kg)
- 包装方式
- 管装
商品参数
导通电阻(RDS(on)):180mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):650V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):33.8W,输入电容(Ciss):2600pF,连续漏极电流(Id):21A,阈值电压(Vgs(th)):4V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 180mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 33.8W | |
| 输入电容(Ciss) | 2600pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 21A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
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