射基极击穿电压(Vebo):5V,工作温度:-55℃~+150℃,晶体管类型:PNP,特征频率(fT):200MHz,直流电流增益(hFE):-,耗散功率(Pd):300mW,集射极击穿电压(Vceo):50V,集射极饱和电压(VCE(sat)):0.3V,集电极截止电流(Icbo):0.1uA,集电极电流(Ic):150mA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 特征频率(fT) | 200MHz | |
| 直流电流增益(hFE) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 0.3V | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 0.1uA | |
| 集电极电流(Ic) | 150mA |