反向传输电容(Crss):32pF@10V,导通电阻(RDS(on)):100mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):5.4nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):1.25W,输入电容(Ciss):416pF@10V,连续漏极电流(Id):3.1A,阈值电压(Vgs(th)):1.2V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 32pF@10V | |
导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@4.5V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 5.4nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
类型 | P沟道 | |
耗散功率(Pd) | 1.25W | |
输入电容(Ciss) | 416pF@10V | |
连续漏极电流(Id) | 3.1A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA |