反向传输电容(Crss):68pF@20V,导通电阻(RDS(on)):-,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):40V,耗散功率(Pd):1.2W,输入电容(Ciss):490pF@20V,连续漏极电流(Id):5A,阈值电压(Vgs(th)):1V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 68pF@20V | |
导通电阻(RDS(on)) | - | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | - | |
漏源电压(Vdss) | 40V | |
耗散功率(Pd) | 1.2W | |
输入电容(Ciss) | 490pF@20V | |
连续漏极电流(Id) | 5A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1V |