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ID:49A VDSS:650V RDON:33mR N沟道

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品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
厂家型号: HC1M45065J
商品编号: C41428800
商品封装: TO-247-4L
商品毛重: 0.008072千克(kg)
包装方式: 管装
ECCN: -

商品参数

反向传输电容(Crss):19pF,导通电阻(RDS(on)):45mΩ,导通电阻(RDS(on)):45mΩ@18V,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):96nC,漏源电压(Vdss):650V,类型:1个N沟道,耗散功率(Pd):85W,输入电容(Ciss):1823pF,输出电容(Coss):190pF,连续漏极电流(Id):49A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):4V

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属性	参数值	其他
商品目录	碳化硅场效应管(MOSFET)
反向传输电容(Crss)	19pF
导通电阻(RDS(on))	45mΩ
导通电阻(RDS(on))	45mΩ@18V
工作温度	-55℃~+175℃
栅极电荷量(Qg)	96nC
漏源电压(Vdss)	650V
类型	1个N沟道
耗散功率(Pd)	85W
输入电容(Ciss)	1823pF
输出电容(Coss)	190pF
连续漏极电流(Id)	49A
配置	-
阈值电压(Vgs(th))	4V