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ID:72A VDSS:1700V RDON:45mR N沟道

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品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
厂家型号: HC2M0045170P
商品编号: C41428802
商品封装: TO-247-4L
商品毛重: 0.008513千克(kg)
包装方式: 管装
ECCN: -

商品参数

反向传输电容(Crss):6.7pF,导通电阻(RDS(on)):-,工作温度:-40℃~+150℃,栅极电荷量(Qg):204nC,漏源电压(Vdss):1700V,类型:1个N沟道,耗散功率(Pd):338W,输入电容(Ciss):3455pF,输出电容(Coss):171pF,连续漏极电流(Id):75A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):4V

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属性	参数值	其他
商品目录	碳化硅场效应管(MOSFET)
反向传输电容(Crss)	6.7pF
导通电阻(RDS(on))	-
工作温度	-40℃~+150℃
栅极电荷量(Qg)	204nC
漏源电压(Vdss)	1700V
类型	1个N沟道
耗散功率(Pd)	338W
输入电容(Ciss)	3455pF
输出电容(Coss)	171pF
连续漏极电流(Id)	75A
配置	-
阈值电压(Vgs(th))	4V