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ID:120A VDSS:650V RDON:15mR N沟道

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品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
厂家型号: HNVH4L015N065SC1
商品编号: C42389168
商品封装: TO-247-4L
商品毛重: 0.00726千克(kg)
包装方式: 管装
ECCN: -

商品参数

反向传输电容(Crss):31pF,导通电阻(RDS(on)):21mΩ,工作温度:-40℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):188nC,漏源电压(Vdss):650V,耗散功率(Pd):416W,输入电容(Ciss):5011pF,输出电容(Coss):289pF,连续漏极电流(Id):120A,阈值电压(Vgs(th)):3.6V

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属性	参数值	其他
商品目录	碳化硅场效应管(MOSFET)
反向传输电容(Crss)	31pF
导通电阻(RDS(on))	21mΩ
工作温度	-40℃~+175℃
栅极电荷量(Qg)	188nC
漏源电压(Vdss)	650V
耗散功率(Pd)	416W
输入电容(Ciss)	5011pF
输出电容(Coss)	289pF
连续漏极电流(Id)	120A
阈值电压(Vgs(th))	3.6V

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阶梯价格(含税价)

梯度	售价
1+	¥81.655/个
10+	¥79.112/个
12+	¥79.112/个
14+	¥79.112/个
16+	¥79.112/个
18+	¥79.112/个

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整盘

单价

整盘单价¥79.112

30 PCS/盘

库存总量

5 PCS

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