反向传输电容(Crss):2.7pF,导通电阻(RDS(on)):74mΩ,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):37.8nC,漏源电压(Vdss):750V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):155W,输入电容(Ciss):1422pF,输出电容(Coss):68pF,连续漏极电流(Id):28A,阈值电压(Vgs(th)):6V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.7pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 74mΩ | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 37.8nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 750V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 155W | |
| 输入电容(Ciss) | 1422pF | |
| 输出电容(Coss) | 68pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 28A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 6V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥10.24/个 |
| 10+ | ¥8.67/个 |
| 30+ | ¥7.69/个 |
| 90+ | ¥6.69/个 |
| 510+ | ¥6.23/个 |
| 1020+ | ¥6.04/个 |
整盘
单价
整盘单价¥7.0748
30 PCS/盘
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