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HIRF630PBF
扩展库- 品牌名称
- HXY MOSFET(华轩阳电子)
- 厂家型号
- HIRF630PBF
- 商品编号
- C42401104
- 商品封装
- TO-220
- 商品毛重
- 0.002709千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):10pF@25V,导通电阻(RDS(on)):260mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):13nC@10V,漏源电压(Vdss):200V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):75W,输入电容(Ciss):600pF@25V,连续漏极电流(Id):9A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF@25V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 260mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 75W | |
| 输入电容(Ciss) | 600pF@25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 配置 | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥2.088/个 |
| 10+ | ¥2.043/个 |
| 50+ | ¥2.016/个 |
| 100+ | ¥1.98/个 |
| 102+ | ¥1.98/个 |
| 104+ | ¥1.98/个 |
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