反向传输电容(Crss):33pF@15V,导通电阻(RDS(on)):38mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:-,栅极电荷量(Qg):3nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):1.25W,输入电容(Ciss):233pF@15V,连续漏极电流(Id):4.5A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):2.5V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 33pF@15V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 输入电容(Ciss) | 233pF@15V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 配置 | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.199/个 |
| 100+ | ¥0.195/个 |
| 300+ | ¥0.192/个 |
| 1000+ | ¥0.189/个 |
| 1020+ | ¥0.189/个 |
| 1040+ | ¥0.189/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.189
3000 PCS/盘