SiC MOSFET BCW120N40M1实物图
SiC MOSFET BCW120N40M1缩略图
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SiC MOSFET BCW120N40M1

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品牌名称
Bestirpower(萃锦半导体)
厂家型号
BCW120N40M1
商品编号
C42401697
商品封装
TO-247-3L
商品毛重
0.008千克(kg)
包装方式
管装
ECCN
-

商品参数

反向传输电容(Crss):5pF,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):109nC,漏源电压(Vdss):1200V,类型:1个N沟道,耗散功率(Pd):375W,输入电容(Ciss):1960pF,输出电容(Coss):125pF,连续漏极电流(Id):60A,阈值电压(Vgs(th)):3V

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属性参数值其他
商品目录碳化硅场效应管(MOSFET)
反向传输电容(Crss)5pF
工作温度-55℃~+175℃
栅极电荷量(Qg)109nC
漏源电压(Vdss)1200V
类型1个N沟道
耗散功率(Pd)375W
输入电容(Ciss)1960pF
输出电容(Coss)125pF
连续漏极电流(Id)60A
阈值电压(Vgs(th))3V

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