反向传输电容(Crss):5pF,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):109nC,漏源电压(Vdss):1200V,类型:1个N沟道,耗散功率(Pd):375W,输入电容(Ciss):1960pF,输出电容(Coss):125pF,连续漏极电流(Id):60A,阈值电压(Vgs(th)):3V
属性 | 参数值 | 其他 |
---|---|---|
商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 5pF | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
栅极电荷量(Qg) | 109nC | |
漏源电压(Vdss) | 1200V | |
类型 | 1个N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 375W | |
输入电容(Ciss) | 1960pF | |
输出电容(Coss) | 125pF | |
连续漏极电流(Id) | 60A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
梯度 | 售价 |
---|---|
1+ | ¥34.722/个 |
10+ | ¥29.952/个 |
30+ | ¥25.155/个 |
90+ | ¥22.725/个 |
92+ | ¥22.725/个 |
94+ | ¥22.725/个 |
整盘
单价
整盘单价¥24.327
30 PCS/盘
嘉立创补贴3.29%
一盘能省掉24.84元