反向传输电容(Crss):47pF@25V,导通电阻(RDS(on)):7.5mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,栅极电荷量(Qg):42nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):85W,输入电容(Ciss):2520pF@25V,连续漏极电流(Id):90A,阈值电压(Vgs(th)):2.7V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 47pF@25V | |
导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@10V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
栅极电荷量(Qg) | 42nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 100V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 85W | |
输入电容(Ciss) | 2520pF@25V | |
连续漏极电流(Id) | 90A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V@250uA |