反向传输电容(Crss):62pF@25V,导通电阻(RDS(on)):90mΩ@10V,15.6A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):88nC,漏源电压(Vdss):600V,耗散功率(Pd):183W,输入电容(Ciss):3112pF@25V,连续漏极电流(Id):47A,阈值电压(Vgs(th)):4V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 62pF@25V | |
导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ@10V,15.6A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 88nC | |
漏源电压(Vdss) | 600V | |
耗散功率(Pd) | 183W | |
输入电容(Ciss) | 3112pF@25V | |
连续漏极电流(Id) | 47A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4V |