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NCEP85T35T
扩展库- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 厂家型号
- NCEP85T35T
- 商品编号
- C503005
- 商品封装
- TO-247
- 商品毛重
- 0.00791千克(kg)
- 包装方式
- 管装
商品参数
反向传输电容(Crss):200pF@40V,导通电阻(RDS(on)):1.85mΩ@10V,175A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):324nC@10V,漏源电压(Vdss):85V,耗散功率(Pd):520W,输入电容(Ciss):19500pF@40V,连续漏极电流(Id):350A,阈值电压(Vgs(th)):5V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF@40V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.85mΩ@10V,175A | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 324nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 85V | |
| 耗散功率(Pd) | 520W | |
| 输入电容(Ciss) | 19500pF@40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 350A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
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