导通电阻(RDS(on)):21mΩ@10V,44A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):150nC@10V,漏源电压(Vdss):200V,耗散功率(Pd):341W,连续漏极电流(Id):75A,阈值电压(Vgs(th)):5V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@10V,44A | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 150nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 耗散功率(Pd) | 341W | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |