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STW28NM50N
扩展库- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 厂家型号
- STW28NM50N
- 商品编号
- C501085
- 商品封装
- TO-247
- 商品毛重
- 0.0068千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):4.3pF,导通电阻(RDS(on)):0.135Ω@10V,10.5A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):50nC@400V,漏源电压(Vdss):500V,耗散功率(Pd):150W,输入电容(Ciss):1735pF,连续漏极电流(Id):21A,阈值电压(Vgs(th)):3V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.3pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.135Ω@10V,10.5A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@400V | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 输入电容(Ciss) | 1735pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 21A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
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