反向传输电容(Crss):177pF@15V,导通电阻(RDS(on)):27mΩ@4.5V,6.4A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):28.2nC@4.5V,漏源电压(Vdss):25V,耗散功率(Pd):0.8W,输入电容(Ciss):2530pF@15V,连续漏极电流(Id):6.7A,阈值电压(Vgs(th)):1V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 177pF@15V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ@4.5V,6.4A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 28.2nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 耗散功率(Pd) | 0.8W | |
| 输入电容(Ciss) | 2530pF@15V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.7A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |