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DMT10H010LSS-13
扩展库- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 厂家型号
- DMT10H010LSS-13
- 商品编号
- C461106
- 商品封装
- SOP-8
- 商品毛重
- 0.00018千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):44pF@50V,导通电阻(RDS(on)):9.5mΩ@10V,13A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):58.4nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,耗散功率(Pd):1.9W,输入电容(Ciss):4166pF@50V,连续漏极电流(Id):29.5A,连续漏极电流(Id):29.5A,阈值电压(Vgs(th)):2.8V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 44pF@50V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.5mΩ@10V,13A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 58.4nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.9W | |
| 输入电容(Ciss) | 4166pF@50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 29.5A | |
| 连续漏极电流(Id) | 29.5A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V |
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