反向传输电容(Crss):70pF,导通电阻(RDS(on)):80mΩ@4.5V,工作温度:-65℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):15nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):2W,输入电容(Ciss):530pF,输出电容(Coss):140pF,连续漏极电流(Id):6A,阈值电压(Vgs(th)):2V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 70pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@4.5V | |
工作温度 | -65℃~+150℃ | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
类型 | P沟道 | |
耗散功率(Pd) | 2W | |
输入电容(Ciss) | 530pF | |
输出电容(Coss) | 140pF | |
连续漏极电流(Id) | 6A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |