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FDD8647L
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- FDD8647L
- 商品编号
- C467451
- 商品封装
- DPAK(TO-252)
- 商品毛重
- 0.00037千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):80pF@20V,导通电阻(RDS(on)):9mΩ@10V,13A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):28nC@10V,漏源电压(Vdss):40V,耗散功率(Pd):43W,耗散功率(Pd):43W,输入电容(Ciss):1640pF@20V,连续漏极电流(Id):42A,连续漏极电流(Id):42A,阈值电压(Vgs(th)):1V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF@20V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V,13A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 耗散功率(Pd) | 43W | |
| 耗散功率(Pd) | 43W | |
| 输入电容(Ciss) | 1640pF@20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 42A | |
| 连续漏极电流(Id) | 42A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥7.2/个 |
| 10+ | ¥5.94/个 |
| 30+ | ¥5.24/个 |
| 100+ | ¥4.45/个 |
| 500+ | ¥4.11/个 |
| 1000+ | ¥3.95/个 |
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