导通电阻(RDS(on)):30mΩ@10V,导通电阻(RDS(on)):32mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,栅极电荷量(Qg):16nC@6V,栅极电荷量(Qg):42nC@6V,漏源电压(Vdss):20V,类型:N沟道+P沟道,耗散功率(Pd):1.25W,连续漏极电流(Id):3.8A,连续漏极电流(Id):4.2A,阈值电压(Vgs(th)):1V@250uA,阈值电压(Vgs(th)):1V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 42nC@6V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.8A | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.293/个 |
| 100+ | ¥0.231/个 |
| 300+ | ¥0.2/个 |
| 3000+ | ¥0.176/个 |
| 6000+ | ¥0.158/个 |
| 9000+ | ¥0.148/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.16192
3000 PCS/盘
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